电网企业存量资产不能列入改革试点范围吗？

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这项研究的诞生引发了对基于氮化硼衬底二维器件的研究关注，企业进一步阐释了二维材料转移技术的发展对实现范德瓦耳斯组装的必要性，企业引领了对范德瓦尔斯异质结构系统的探索。为了尽量维持石墨烯的电子特性，存量哥伦比亚的C.R.Dean等人[8]将石墨烯放置在氮化硼衬底上，其性能表现远远优于以往的石墨烯基器件。

利用光致发光以及原子力显微镜等手段，资产来自哥伦比亚大学的研究人员追踪了二硫化钼的能带结构演变过程。【参考文献】[1] H.Zhang.UltrathinTwo-Dimensional Nanomaterials.ACSNano.,2015, 9,9451–9469.[2] K.S.Novoselov,A. K. Geim,etal.ElectricFieldEffectinAtomically ThinCarbonFilms.Science,2004, 306,666–669.[3] B.Partoens,F.M.Peeters.Fromgraphenetographite:ElectronicstructurearoundtheK point.Phys.Rev.B2006,74,075404.[4]A. K. Geim, K.S.Novoselov,etal.Two-dimensionalgasofmasslessDiracfermionsingraphene.Nature,2005, 438,197–200.[5]Y.Zhang,etal.ExperimentalobservationofthequantumHalleffect andBerrysphaseingrapheme.Nature,2005, 438,201–204.[6] K.S.Novoselov,etal.Room-TemperatureQuantumHallEffectinGraphene.Science,2007, 315,1379.[7] K.S.Novoselov,etal.Two-dimensionalatomiccrystals.PNAS,2005, 102,10451-10453.[8] C.R. Dean,etal.Boronnitridesubstratesforhigh-quality grapheneelectronics.NatureNanotechnology, 2010, 5, 722–726.[9] K.F. Mak,etal.AtomicallyThinMoS2:ANewDirect-GapSemiconductor.Phy.Rev.Lett., 2010, 105, 136805.[10] B.Radisavljevic,etal.Single-layerMoS2transistors.Nat.Nanotech., 2011, 6, 147-150.[11] J.N.Coleman,etal.Two-DimensionalNanosheets ProducedbyLiquidExfoliation ofLayeredMaterials.Science., 2011, 331, 568-571.[12] J.N.Coleman,etal.Two-DimensionalNanosheets ProducedbyLiquidExfoliation ofLayeredMaterials.Science, 2011, 331, 568-571.[13] L.Li,etal.Blackphosphorusfield-effecttransistors.Nat.Nanotech., 2014, 9, 372-377.[14] H.Liu,etal.Phosphorene:AnUnexplored2DSemiconductorwithaHighHoleMobility.ACSNano, 2014, 8, 4033-4041.[15] W.S.Chen,etal.BlackPhosphorusNanosheet-BasedDrugDeliverySystemforSynergisticPhotodynamic/Photothermal/ChemotherapyofCancer.AdvMater., 2017, 29, 4033-4041.往期回顾：列入金属二维材料的所有合成策略你都了解么？梳理–提升石墨烯器件性能的方法迈进二维材料大门，列入请从这十篇综述开始本文由材料人科技顾问nanoCJ供稿，材料人编辑部编辑。而表明活性剂的存在，改革则进一步保证了剥离出的二维材料能够稳定存在在溶液中而不发生沉积。

但是随着非碳单元素二维原子晶体材料的发现逐渐增多，试点，近年来也逐渐成为前沿研究的热点。然而随着电子显微技术特别是原子力显微镜的发明，范围人们得以近距离观察研究这类薄片的结构。

图7薄层磷烯场效应管（A）薄层磷烯场效应管的器件结构（B）Source-drain电流与栅极电压的关系（C）霍尔系数以及电导率与栅极电压的关系（D）（B）中器件的I-V特征曲线[13]【展望】尽管二维材料的发展在短短十几年的时间里取得了丰硕的成果，电网超高的被引频次，电网每年的文章产出，材料应用范围之广都证明了二维材料具有良好的发展前景。

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